

岡田 康介
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n型半導体・とは?
「n型半導体・とは?」という言葉は、半導体を加工して作るときに出てくる基本的な考え方です。半導体は金属のように自由に電子を動かせる材料ではありませんが、適切な加工を施すと、電気の流れをコントロールできるようになります。n型半導体は、その中でも電子が主役になる材料として知られています。
n型という名前は、英語の "negative" や数学の "n" から来ています。実際には、電子という負の電荷を運ぶ粒子が多くなる性質を意味します。どうして電子が増えるのかというと、半導体の結晶に ドーピング と呼ばれる加工を行って、余分な電子を生む原子を少し混ぜるからです。
具体的には、半導体としてよく使われる材料はシリコンです。シリコンの結晶格子にリンのような5価の不純物を少量加えると、原子が置換され、余分な電子が自由に動けるようになります。これがn型半導体の基本です。
このようにしてできたn型半導体は、電子を多く含むことで電気を流す力が高まります。しかし、同じ材料でもホールと呼ばれる正のキャリアが少数派になるため、電気の振る舞いはp型半導体とは異なります。身の回りのデバイスでは、n型とp型を組み合わせて電流を制御する部品が多く使われています。
n型とp型の違い
p型半導体は、3価の不純物を加えることでホールと呼ばれる正のキャリアを増やします。つまり、n型では電子が主役、p型ではホールが主役という違いがあります。両者を合わせて使うと、電流の流れを正確にコントロールできる部品が作れます。
PN接合と応用
実際の部品では、n型とp型を接合したPN接合という構造を作ります。PN接合は電気を一方にだけ流す性質(整流作用)を持ち、ダイオードの基本となります。さらに、トランジスタや太陽電池など、私たちの生活を支える多くの電子機器の中核も、この原理を利用しています。
まとめ
n型半導体は電子が主役となる半導体で、ドーピングにより自由電子を増やします。p型半導体と合わせることで、電気を効率よく制御できる部品が作られ、現代の電子機器の心臓部を支えています。学習の最初の一歩として、ドーピングとキャリアの基本的な考え方を覚えると、ダイオードやトランジスタのしくみがぐんと見えやすくなります。
n型半導体の関連サジェスト解説
- p型半導体 n型半導体 とは
- p型半導体 n型半導体 とは、電気を通す性質をコントロールするために半導体材料をほんの少しだけ別の元素で“ドーピング”したものです。ここでは主にシリコンを例にして分かりやすく説明します。純粋なシリコンは温度や光の影響で電気を流しますが、用途に合わせて導電性を変えるには不十分なことが多いです。そこで、ほんのわずかな不純物を混ぜると、キャリアと呼ばれる荷の動きが変わり、電気を流しやすくなります。p型半導体は、アクセプタと呼ばれる受け入れ可能な不純物を混ぜることで作られます。ボロンのような原子はシリコンよりも価電子が少なく、結晶の中に電子が欠けた場所=ホールを作ります。ホールは正の電荷を運ぶキャリアとして働き、結果として電気を流すときの主役はホールになります。つまり、p型半導体では“正のキャリア”が増えるイメージです。一方、n型半導体は、ドナーと呼ばれる不純物を混ぜて作ります。リンなどは1つ余分な電子を持つため、結晶中に自由電子が増えます。自由電子は負の電荷を運ぶキャリアであり、導電性を高める要因となります。したがって、n型半導体では電子が主役となります。p型と n型を結ぶとPN接合が生まれ、電気の流れ方が大きく変わります。接合部には電荷が広がる領域ができ、電圧をかける向きによってキャリアの流れが制御されます。正方向のバイアスをかけると障壁が低くなり電流が流れやすくなり、逆方向では流れがほぼ止まります。この性質を利用して、ダイオードや太陽電池、トランジスタなどの基本部品が作られます。日常の身近な例として、LEDはPN接合を利用して光を放ちます。半導体の世界では、ドーピングの量や組み合わせ方で性質が大きく変わります。そのため、半導体を学ぶ第一歩として、p型・n型の違いとPN接合の働きを押さえると、後の学習がぐんと進みます。ウェブ上の解説や教材を読むときも、まずはこの基本概念を自分の言葉で説明できるか確認してみると良いでしょう。
n型半導体の同意語
- n型導電性半導体
- 電子を主なキャリアとする半導体で、ドナーと呼ばれる不純物を添加して導電性を高めたタイプの半導体。
- ドナー型半導体
- n型になるようにドナーを用いてドーピングした半導体。主なキャリアは電子。
- n型ドーピング半導体
- ドーピングによりn型を作った半導体。電子が多数キャリアとなる特徴を持つ。
- 電子多数キャリア半導体
- 半導体のキャリアの大部分が電子である性質を持つ半導体のこと。p型の対局である。
- n性半導体
- n型の性質を持つ半導体。電子を主要キャリアとするタイプを指す表現。
- n型半導体材料
- n型として機能する半導体材料のこと。部品や素子として用いられる基礎材料の一つ。
n型半導体の対義語・反対語
- p型半導体
- n型半導体の対義語。ドーピングの結果、正孔が多数キャリアとなり、電流は正孔の移動(正孔の拡散・ドリフト)で主に流れます。
- 正孔優勢半導体
- 正孔が多数キャリアの状態を指す表現。n型と反対のキャリア支配を意味し、電導は正孔の移動が中心になります。
- 正孔主体半導体
- 正孔を主たるキャリアとして機能する半導体。電子より正孔の移動が支配的になる状態を示します。
- ホール型半導体
- 正孔を主要キャリアとする半導体の言い換え。実務的にはp型の性質を指すことが多い表現です。
- 本質半導体
- 未ドーピングの半導体(Intrinsic semiconductor)。ドナー・アクセプターの不純物がほとんどなく、電子と正孔の数がほぼ等しい状態を指します。
- 未ドーピング半導体
- ドーピングを施していない半導体。n型・p型と異なる中立的な状態で、intrinsic に近い性質を持ちます。
n型半導体の共起語
- ドナー原子
- n型半導体の主な不純物で、結晶格子に取り込まれると自由電子を供給する原子のこと。
- ドナー濃度
- 結晶中のドナー原子の密度。濃度が高いほど自由電子の数が多くなる。
- 不純物濃度
- 半導体へ添加された不純物の総量。n型ではドナー濃度とほぼ同義。
- ドナー準位
- ドナー不純物が生み出すエネルギー準位。熱エネルギーで伝導帯に電子を供給する役割を持つ。
- 活性化エネルギー
- ドナー原子から自由電子が解放されるために必要なエネルギー。
- 自由電子
- n型半導体の主な電荷キャリア。結晶内を自由に動く電子。
- 自由電子密度
- 単位体積あたりの自由電子の数。ドナー濃度とほぼ同じになることが多い。
- 電子移動度
- 電場の下で自由電子が動く速さを表す指標。移動度が高いほど伝導性が高い。
- 伝導帯
- 電子が自由に移動できるエネルギー領域。自由電子はこの帯で動く。
- 価帯
- 電子が通常は占有しているエネルギー帯。n型でも価帯は満たされているが電子は主に伝導帯にいる。
- 禁制帯
- 伝導帯と価帯の間のエネルギー差。バンドギャップの一部。
- バンドギャップ
- 伝導帯と価帯の間のエネルギー差。材料の基本的な半導体特性を決める。
- 半導体ドーピング
- 不足分の不純物を加えることで半導体のキャリア濃度を調整する工程。
- ドーピング
- 不純物を添加してキャリアを操作する一般的な手法。
- アクセプター不純物
- p型を作る不純物。n型と対になる概念。
- アクセプター準位
- アクセプター不純物が生み出すエネルギー準位。温度によってホールを生成する。
- ボロン(ホウ素)
- シリコンの代表的なアクセプター不純物の一例。
- pn接合
- p型とn型を接合した構造。二極性デバイスの基本単位。
- 少数キャリア
- n型半導体での主キャリアは電子、少数キャリアは正孔。ホールと呼ばれることもある。
- 正孔
- 電荷が欠乏している状態のキャリア。p型で多数キャリア、n型では少数キャリアとして現れる。
- 結晶格子
- 半導体の原子が規則正しく並ぶ結晶構造。ドーピングの場として重要。
- 拡散
- ドナー不純物が結晶内で広がる現象。ドーピング後のキャリア分布に影響。
- 温度依存性
- 温度の上昇に伴いドナーの活性化やキャリア密度・移動度が変化する性質。
- 室温動作
- 室温近くで安定して動作するn型半導体の特性を示す語句。
- 電気伝導度
- キャリア濃度と移動度の積で決まる材料の導電性の尺度。
- 抵抗
- 電気回路での電気的抵抗。n型半導体のキャリア密度で左右される。
n型半導体の関連用語
- n型半導体
- 半導体素材にドナー原子を微量混入して自由電子を主要な電荷キャリアとする材料。電子が多く移動しやすい特徴を持ちます。
- p型半導体
- 受容体原子を微量混入して正孔を主要な電荷キャリアとする材料。正孔が多く発生します。
- ドーピング
- 半導体の性質を意図的に変えるために微量の不純物を加える加工。濃度が高いほどキャリアの数が増えます。
- ドナー原子
- 電子を放出しやすい不純物原子。n型半導体を作る元になる。例としてリンなど。
- 受容体原子
- 電子を捕らえやすい不純物原子。p型半導体を作る元になる。例としてボロンなど。
- 自由電子
- 結晶中を自由に動き回る電子のこと。n型半導体の主なキャリアです。
- 正孔
- 電子が欠けた場所が正の電荷として振る舞うキャリア。p型半導体で主に働きます。
- 電子キャリア
- 自由電子のこと。伝導を担う主役のキャリアの総称。
- 正孔キャリア
- 正孔のこと。半導体の伝導を担うキャリアの一種。
- 伝導帯
- 自由電子が移動できるエネルギー帯。位置が上がるほど伝導性は高まります。
- 禁制帯
- 価電子帯と伝導帯の間のエネルギー領域。電子はここを越えて伝導帯へ移動します。
- バンドギャップ
- 伝導帯と禁制帯の間のエネルギー差。素材ごとに異なり、色にも影響します。
- エネルギー準位
- ドナー準位や受容体準位など、ドーピングによって生じる特定のエネルギーレベル。
- ドナー準位
- ドナー原子が作る、伝導帯近くの準位。電子を放出しやすくします。
- 受容体準位
- 受容体原子が作る、禁制帯の中の準位。正孔を生じさせやすくします。
- 不純物濃度
- ドーピング濃度の指標。ppmやppbなどの微量な量で表します。
- 拡散
- キャリアが濃度勾配に従って広がる現象。温度が高いと起こりやすいです。
- 拡散電流
- 拡散によって生じる電流。濃度勾配があると流れます。
- 漂移電流
- 電場の力でキャリアが動く電流。外部電圧の影響を受けます。
- PN接合
- n型とp型を接触させた境界。電場が生まれ、整流性が生じます。
- ダイオード
- PN接合を利用して電流を一方向にのみ流す素子。
- 空乏層
- PN接合部の近くにキャリアが不足する薄い層。電場が最大になる場所です。
- I-V特性
- 電流と電圧の関係を表す特性。素子の動作を表す基本指標です。
- 温度の影響
- 温度がキャリア濃度・移動度に影響を与え、抵抗や流れる電流を変えます。
- 電子移動度
- 電子が電場の力で動く速さの目安。値が大きいと導電性が高くなります。
- キャリア濃度
- 自由電子と正孔の合計数。濃度が高いほど電気を流しやすくなります。
- 半導体素子
- ダイオードやトランジスタなど、半導体を材料とする電気部品の総称。
- 光励起
- 光を吸収して電子と正孔を生成する現象。光エネルギーを電気に変える仕組みです。
- 熱励起
- 温度の上昇でキャリアが励起される現象。キャリア濃度が増え、伝導性が変化します。
- MOSFET
- 金属酸化物半導体場効果トランジスタの略。ゲート電圧でチャネルの導通を制御します。
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